型号:IPP65R420CFD | 类别:FET - 单 | 制造商:Infineon Technologies |
封装:TO-220-3 | 描述:MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220 |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 650V 8.7A TO220 |
系列 | CoolMOS™ |
制造商 | Infineon Technologies |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 8.7A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 420 毫欧 @ 3.4A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4.5V @ 340µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 32nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 870pF @ 100V |
功率_最大 | 83.3W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
包装 | 管件 |
供应商
现代芯城(深圳)科技有限公司 | 董0755-82542579 |
深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
深圳市科恒伟业电子有限公司 | 柯0755-88917652分机801-83200050 |
深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
深圳市金亿泰电子有限公司 | 郑086-755-83252273 |
深圳信泰电子器材有限公司 | 廖先生0755-83242658 |
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